微觀結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結(jié)構(gòu)，使得 ITO 靶材具有更高的電導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度，但該工藝成本較為昂貴。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產(chǎn) LCD、OLED 顯示面板的透明導(dǎo)電膜（如手機(jī)屏幕、電視面板）。

光伏領(lǐng)域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵原料，提升光電轉(zhuǎn)換效率。

本公司業(yè)務(wù)回收范圍：

冶煉廠：黃金，白銀，鉑金，鈀金，銠金，銀鋅電瓶，以及粗鉛,貴鉛,陽(yáng)極泥等廢料;

礦山廠：銅粉，鉛粉，活性炭，載金炭，炭泥，銀粉，銀泥，金泥，一切煉金，煉銀，煉鉑，鈀銠的廢渣廢料等。

電鍍廠：金鹽、銀鹽、金銀廢水等廢料；

電子廠：半導(dǎo)體藍(lán)膜，半導(dǎo)體鍍金硅片、鍍銀瓷片、壓敏電阻、薄膜開關(guān)，廢冷光片，背光源，廢銀漿、鈀漿、擦銀布、擦金布，銀漿罐、金漿罐、含鈀陶瓷片，含金陶瓷片，含銀的陶瓷片、銀焊條、銀焊絲、銀粉、導(dǎo)電銀膠，鍍金，鍍銀，鍍銠鍍鉑等廢料。

首飾廠：拋光打磨粉，地毯，洗手池等廢料；

印刷廠：印刷廢菲林、X光片、定影水；

化工石油廠：鈀，鉑，銠，釕催化劑等。