半導(dǎo)體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個(gè)問題，它是可以在整個(gè)硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石，在加工過程中需要對其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度，普通磨料難以對其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。

氧化鈰拋光液 氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細(xì)、粒度分布均勻、硬度適中等特點(diǎn)。 適用于高精密光學(xué)儀器，光學(xué)鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。

CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。