石材結(jié)晶粉的使用方法如下：

首先，確保石材表面平整，這樣才能讓石材結(jié)晶粉發(fā)揮效果。

其次，濕磨工藝。作業(yè)人員將石材結(jié)晶粉加水后，按照1:6的比例調(diào)成泥漿狀，再使用石材晶面機將其研磨3-5分鐘，使用紅墊、白墊、納米墊等百潔墊配合進行，用清水輕拋洗凈、吸水機吸干，再使用纖維墊輕拋2-3分鐘以獲得更佳效果。

這兩個概念主要出半導(dǎo)體加工過程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

制作步驟：

依據(jù)機械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機械拋光（CMP）機理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標明，化學(xué)機械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學(xué)過程：

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。

（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

硅片的化學(xué)機械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

結(jié)晶粉的使用

1、石材結(jié)晶粉使用效果的要求: 地面平整,翻新完成后使用或晶面日常保養(yǎng)。

2、取本大理石油亮型結(jié)晶粉濕磨工藝：加水調(diào)成漿狀(比例為1:6)。用石材晶面機配合百潔墊(紅墊、白墊、納米墊、獸毛墊都可以，根據(jù)石材材質(zhì)和經(jīng)濟性決定)研磨3-5分鐘后,保持地面濕潤，用清水輕拋洗凈吸水機吸干。后再用干凈纖維墊輕拋2-3分鐘效果更佳!

3、取本大理石超亮晶面粉干磨工藝：加水調(diào)成漿狀(比例為1:1)。用石材晶面機配合纖維墊研磨,磨干地面。(晶面機阻力增大時即晶面漿結(jié)晶層形成時可在地面灑幾滴水至磨干)

4、觀察地面結(jié)晶層亮度、油潤度，可按上述方法施工二遍，可達到滿意結(jié)晶面，做翻新工程時可以直接交工。

5、地面干燥后，可用干凈塵推推塵。